- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Silicon Power SP004GBLTU133V02
Silicon Power SP004GBLTU133V02
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти silicon power
Модуль памяти Silicon Power SP004GBLTU133V02 отзывы
Достоинства:
Отлично разгоняется, мало греется (даже при повышенном напряжении питания и при разгоне).
Недостатки:
Не обнаружил.
Комментарий:
Приемлемая цена при вполне приличном качестве исполнения.
Достоинства:
Свободно разгоняется без поднятия напряжения.
Комментарий:
Хочу поделиться личными результатами разгона двух таких планок.Сразу уточню, что напряжение вручную не поднимал. Должен заметить, моя материнская плата подает плавающее напряжение на модули памяти в позиции AVTO 1,48 - 1,58 V.В легкую держит частоту 1600 на стандартных таймингах 9-9-9-24-Т1.А вот на частоте 1866 при таймингах CL9 или 10 загружать систему отказывается, даже с поднятием напряжения. Зато берет эту частоту на таймингах 11-11-11-30-Т2 и уверенно держит.ВСЕ тесты такая система прошла стабильно. На производительность памяти такой разгон не повлиял (ее Windows 7 в моей системе определила как 7,1). Зато производительность CPU и GPU чуть поднялась на 0,1. Во время работы, на ощупь чипы чуть теплые, что при стандартых настройках, что в разгоне.Вот так вот, и это самые дешевые модули по 4 ГБ DDR3, которые я смог купить. Не зря говориться "Разгон не роскошь - а экономия средств".
Достоинства:
Без проблем взяла 1600 на CL9 и напряжении 1.5v
Недостатки:
их нету
Комментарий:
Брал 4 штуки брака не было! Гарантия производителя 3 года если не ошибаюсь...
Цены на Silicon Power SP004GBLTU133V02
Характеристики Silicon Power SP004GBLTU133V02
Тип памяти | DDR3 |
---|---|
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10600 Мб/с |
Объем | 1 модуль 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.5 В |