- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Silicon Power SP002GBLTU133V02
Silicon Power SP002GBLTU133V02
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Средняя оценка покупателей составила 3 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Silicon Power SP002GBLTU133V02.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Silicon Power SP002GBLTU133V02 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти silicon power
Модуль памяти Silicon Power SP002GBLTU133V02 отзывы
Достоинства:
Обычная память
Недостатки:
Несовместима с определенной конфигурацией компьютера (см. комментарий)
Комментарий:
Хорошо работала в в конфигурации Asus P5Q3 (чипсет Р45)+Intel Pentium E5700 Wolfdale+4 планки этой памяти. При замене процессора на Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield система перестала запускаться.Думал либо плата навернулась, либо процессор бракованный. Однако проверил эту память на 2-х платах Asus P5Q3 Deluxe с тем же процессором - и они так же не завелись. Чипсет у них такой же - Р45. К этой конфигурации подошли 4 планки памяти по 4 Gb Kingston KVR1333D3N9/4G. Встали слету.Ради интереса проверил на плате с чипсетом Р35 (Asus p5K3 Deluxe). В конфигурации с этим же процессором Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield работает без проблем. Выходит, что конфигурация чипсета Р45+Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield+4 планки Silicon Power SP002GBLTU133V02 несовместима.Рекомендации следующие: у кого платы на сокетах 775, обязательно надо перед покупкой проверить совместимость. Платы с сокетом 775 были сняты с производства на заре появления памяти DDR3 в 2008 г. Возможно, не все виды планок памяти, которые вышли позже, прописаны в их биосе.
Цены на Silicon Power SP002GBLTU133V02
Характеристики Silicon Power SP002GBLTU133V02
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 1333 МГц
- Пропускная способность
- 10600 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 2 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 9
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 9
- Row Precharge Delay (tRP)
- 9
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8
- Напряжение питания
- 1.5 В