- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- OCZ OCZ3G1333LV4GK
OCZ OCZ3G1333LV4GK
- 2 модуля памяти DDR3
- объем модуля 2 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- радиатор
- CAS Latency (CL): 9
Средняя оценка покупателей составила 4.33 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти OCZ OCZ3G1333LV4GK.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти OCZ OCZ3G1333LV4GK - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти ocz
Модуль памяти OCZ OCZ3G1333LV4GK отзывы
Достоинства:
Со слов специалистов - хорошая память! Но мне по достоинству оценить не удалось.
Недостатки:
Не идет в команде с AMD Phenom II X4 965 и MSI 790FX GD70.
Комментарий:
Купил вышеперечисленный комплект, установил. Температура камня в простое 47-52 гр. Чуть тронешь, выше 60 и ребут. маялся два дня. В итоге спец который проц продал протестировал систему на своей памяти samsung (не запомнил какая), всё нормально. Не греется работает стабильно. поэтому пришлось отказаться и поставить пока Kingstone.
Достоинства:
отличная память, работает быстро, в этой ценовой категории только у нее есть радиаторы, эффектно выглядит
Недостатки:
немного помучался с таймингами
Комментарий:
разгон взял 1600мгц, просто мне не надо, поставил разгон 1465мгц, отлично работает с amd phenom iix4 в разгоне 3.8 ггц, и материнкой gigabyte ga-ma785gt-ud3h
Достоинства:
Никаких особенных достоинств у этой памяти не увидел - посредственность.
Недостатки:
Еле вытянула 1600 Мгц на 9-9-9-25, 1,66 В.
Комментарий:
Подобные комплекты для 1366 свободно работают на 7-7-7-19 при том же напряжении. Дешевые планки - дешевые чипы в них. Не лучший выбор для разгона.
Цены на OCZ OCZ3G1333LV4GK
Характеристики OCZ OCZ3G1333LV4GK
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 1333 МГц
- Пропускная способность
- 10666 Мб/с
- Объем
- 2 модуля по 2 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 9
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 9
- Row Precharge Delay (tRP)
- 9
- Activate to Precharge Delay (tRAS)
- 20
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.65 В
- Радиатор
- есть