- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор DIMM, 288-контактный
- частота 2666 МГц
- CAS Latency (CL): 19
Средняя оценка покупателей составила 4.67 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти samsung
Модуль памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb отзывы
Достоинства:
Очень гонибельная
Недостатки:
нет радиаторов, при цене выше среднего. Они не сильно нужны
Комментарий:
Память оч хорошая. 2 планки по 4гб 2600Ггц вышли 4500р на начало 19ого. Она несколько дороже других, без красивых радиаторов или темного текстолиста, но и гонется дай боже.
Достоинства:
Дешевизна, возможность разгона.
Недостатки:
Тайминги могли бы быть и получше, да и XMP тоже - на любую попытку снизить тайминги предлагается повысить напряжение аж до 1,35 вольт.Маркировка на плате (M378A5644EB0) не соответствует используемым чипам и наклейке.
Комментарий:
Модель M378A5244CB0-CTD 2018 года выпуска. Будьте внимательны: в продаже может встречаться и более старая версия M378A5244CB0-CRC (выпускалась по крайней мере до конца 2017 г.) с рабочей частотой 2400 МГц.По умолчанию работает на частоте 2666 мегагерц с таймингами 19-19-19-43. Последние могут быть снижены как минимум до 14-16-16-34 под напряжением 1,24 В.
Достоинства:
Простые, должны быть надежными (как и многое от Samsung), разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 ВКупил 2 планки по 4 ГБ
Комментарий:
Разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 В на MSI B350 PC MATE с AMD 2400G
Цены на Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
Характеристики Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- DIMM 288-контактный
- Тактовая частота
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.2 В
ddr4 dual rank vs single rank или обзор шикарной бюджетной оперативной памяти.