Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb

4.7


Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 2666 МГц
  • CAS Latency (CL): 19

Мы собрали для вас 3 положительных и негативных отзыва покупателей и специалистов о модуле памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb.
Средняя оценка покупателей составила 4.67 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти samsung

Модуль памяти Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb отзывы

Сортировка:
Автор: 20.04.2019


Достоинства:

Очень гонибельная


Недостатки:

нет радиаторов, при цене выше среднего. Они не сильно нужны


Комментарий:

Память оч хорошая. 2 планки по 4гб 2600Ггц вышли 4500р на начало 19ого. Она несколько дороже других, без красивых радиаторов или темного текстолиста, но и гонется дай боже.


Автор: 11.02.2019


Достоинства:

Дешевизна, возможность разгона.


Недостатки:

Тайминги могли бы быть и получше, да и XMP тоже - на любую попытку снизить тайминги предлагается повысить напряжение аж до 1,35 вольт.Маркировка на плате (M378A5644EB0) не соответствует используемым чипам и наклейке.


Комментарий:

Модель M378A5244CB0-CTD 2018 года выпуска. Будьте внимательны: в продаже может встречаться и более старая версия M378A5244CB0-CRC (выпускалась по крайней мере до конца 2017 г.) с рабочей частотой 2400 МГц.По умолчанию работает на частоте 2666 мегагерц с таймингами 19-19-19-43. Последние могут быть снижены как минимум до 14-16-16-34 под напряжением 1,24 В.


Автор: 15.01.2019


Достоинства:

Простые, должны быть надежными (как и многое от Samsung), разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 ВКупил 2 планки по 4 ГБ



Комментарий:

Разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 В на MSI B350 PC MATE с AMD 2400G


Цены на Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb

Характеристики Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19

Дополнительно

Напряжение питания
1.2 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца.
Производитель: Samsung

ddr4 dual rank vs single rank или обзор шикарной бюджетной оперативной памяти.





Аналоги Samsung DDR4 2666 DIMM 4Gb