- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 8 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Средняя оценка покупателей составила 4.8 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти samsung
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb отзывы
Достоинства:
многозадачность
Недостатки:
нет
Комментарий:
отличный модуль советую всем
Достоинства:
Быстрая запчасть. Встала без проблем, радует меня и мой неттоп.
Недостатки:
Отсутствие упаковки, но это можно и перетерпеть.
Комментарий:
Всё в порядке, буду надеяться на долгое и плодотворное сотрудничество оперативки с системным блоком.
Достоинства:
- все работает уже более года, нареканий нет
Комментарий:
купил для своего mac mini 2012 (потому что родную покупать как-то дороговато), в итоге очень доволен, все отлично завелось без каких либо проблем
Достоинства:
Отличная память
Недостатки:
нету
Комментарий:
Купил в дополнение к своей на 4 Гб Samsung 1333 mhz, определилась сразу же в биосе, работает отлично в двухканальном режиме, в итоге 12 Гб, теперь тянет несколько открытых программ одновременно без проблем, в Хроме 27 вкладок открывал работает без проблем.Оценка в Windows 7 64 bit -7.3 из 7.9!Отличная память за свою цену, плюс гарантия 5 лет! Рекомендую.
Достоинства:
Работает без глюков
Недостатки:
нету
Комментарий:
Samsung как всегда на высоте
Цены на Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb
Характеристики Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 8Gb
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- SODIMM 204-контактный
- Тактовая частота
- 1600 МГц
- Пропускная способность
- 12800 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 8 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 11
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 11
- Row Precharge Delay (tRP)
- 11
Модуль памяти SO-DIMM DDR3 8Gb 1600MHz Samsung (M471B1G73EB0-YK0) - 3D-обзор от Elmir.ua