- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Рейтинг оперативной памяти Samsung
Рейтинг оперативной памяти Samsung
Рейтинг оперативной памяти Samsung это список ТОП10 лучших моделей 2023 года,
основанный на отзывах пользователей и специалистов.
В нашей статье вы сможете ознакомиться с характеристиками и ценами на каждую модель.
Сравните цены и качество оперативной памяти Samsung и сделайте свой выбор!
ТОП10 оперативной памяти Samsung
- 10. Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb
- 9. Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb
- 8. Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 4Gb
- 7. Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb
- 6. Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb
- 5. Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb
- 4. 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5143EB1-CRC
- 3. 16 ГБ 1 шт. Samsung M378A2K43BB1-CPB
- 2. Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb
- 1. 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CRC
10. Модуль памяти Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb
Модуль памяти Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Отправили почтой, все впорядке, оперативка работает
Характеристики Samsung DDR4 2133 SO-DIMM 4Gb:
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота
- 2133 МГц
- Объем
- 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 15
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 15
- Row Precharge Delay (tRP)
- 15
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.2 В
- Количество ранков
- 1
9. Модуль памяти Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb
Модуль памяти Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Идеальный вариант на замену стандартной 1066 частотной, или как пара для любого комплекта. Взял пару и не пожалел - тянут даже 1600 частоту.
Недостатки:
Не заметил, тока в никсе кучей своих соплей обклейли.
Комментарий:
Легко варьируемые и настраиваемые тайминги, держит 1066\1333\1600 идеально! Самсунг - этим все сказано!
Характеристики Samsung DDR3 1333 SO-DIMM 2Gb:
Тип памяти | DDR3 |
---|---|
Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Объем | 1 модуль 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.5 В |
8. Модуль памяти Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 4Gb
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 4Gb имеет рейтинг 5.0 по 2 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 4Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
недорогая .быстрая .-не тормозит покупал 2 планки встали как родные)
Недостатки:
привезли без коробочек просто в пленке
Комментарий:
смысла переплачивать за более дороги планки нет и эта не греется))
Цена + Качество. Купил идентичную той, что уже стояла на компе.Быстродействие в играх и программах выросло, что и требовалось.
Недостатки:
Не выявил
Комментарий:
Всё отлично работает, однако пришлось пару раз перезагружаться, даже вынимая плату оперативки - то одну , то другую.
Характеристики Samsung DDR3 1600 ECC DIMM 4Gb:
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 1600 МГц
- Объем
- 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC
- есть
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 18, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.5 В
7. Модуль памяти Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb
Модуль памяти Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb имеет рейтинг 5.0 по 3 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
На гигабайтовской материнке не захотела работать в дуал режиме
Недостатки:
Однако на асусе все заработало как надо =)
Комментарий:
Для своей цены - отличный товар
Дешевая, простая
Недостатки:
Все-таки 1 гб это мало
Комментарий:
Стоит 2 таких. Для работы вполне хватало. Для игры конечно же нет.
Надежная. Без каких либо конфликтов идёт на материнских платах ASUS
Недостатки:
нет
Комментарий:
Поддерживает разгон. В играх было норм. Несколько таких планок. Работают больше нескольких лет
Характеристики Samsung DDR2 667 DIMM 1Gb:
- Тип памяти
- DDR2
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 667 МГц
- Пропускная способность
- 5300 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 1 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 5
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 5
- Row Precharge Delay (tRP)
- 5
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.8 В
6. Модуль памяти Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb
Модуль памяти Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb имеет рейтинг 5.0 по 4 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Цена/качество. Разгон. Хорошая совместимость.
Комментарий:
Отличные OEM плашки памяти непосредственно от одного из лидеров в производстве микросхем. Без не нужных радиаторов, RGB лампочек и прочих свистоперделок. Теперь высокая плотность 16Gb для одной плашки доступна и обычном UDIMM исполнении. Организация модуля двухранговая (х-но для всех 16Gb UDIMM модулей Samsung)Разгон. Без экстрима. Если в среднем по больничке, то можно ожидать:3000MHz 15-17-17 при ~1.2v3200MHz 16-17-17 при ~1.3v 3400MHz 17-17-17 при ~1.35vПо факту, зависит от множества вещей, от вашей платформы, чипов памяти и кол-ва модулей...Возможные маркировки:M378A2K43BB1-XXXB-die микросхемы. Отлаженный тех. процесс и подтверждённый многими результатЭти чипы, на данный момент ставят в самые "гонческие" наборы памяти за много денег.M378A2K43CB1-XXXС-die микросхемы. Самые "свежие" микросхемы от Samsung на данный момент. Отзывов пока по ним не много, но по тому что есть, можно сделать вывод что по разгонному потенциалу они примерно на уровне B-die микросхем, ну или как минимум не хуже.Последние три буквы в маркировке указывают лишь некую номинальную частоту и базовые тайминги зашитые в модули. Но по сути чипы везде одинаковые.CPB - 2133МГц, тайминги 15-15-15CRC - 2400МГц, тайминги 17-17-17CTD - 2666МГц, тайминги 19-19-19Подробнее смотрите в каталоге Samsung//www.samsung.com/semiconductor/global/file/resourceMgmt/2016/11/DDR4_Product_guide_Oct.16-0.pdfPS Убедитесь что на вашей материнской плате установлен последний BIOS, т.к. на старых, возможны сложности с распознаванием таких ёмких модулей.
3000@15-15-15-36@1.3vGA-AB350M-Gaming 3 ryzen 1700Еле теплая
Недостатки:
Двухранговая, можно было бы разогнать сильнее. Хотя говорят, двухранговые дают больший прирост
Дешёвая, двухранговая, берёт 2933мгц (19-18-18-18-44, 1.3В на ASRock AB350M Pro4 с Ryzen 1600)
Недостатки:
Отсутствует упаковка (OEM)
Комментарий:
Отличная модель под Ryzen. При покупке были опасения за скорость работы, но они не оправдались- память будучи очень недорогой оказалась на уровне с "игровыми" комплектами.
Характеристики Samsung DDR4 2133 DIMM 16Gb:
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- DIMM 288-контактный
- Тактовая частота
- 2133 МГц
- Пропускная способность
- 17000 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 16 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 16
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 16
- Row Precharge Delay (tRP)
- 16
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.2 В
5. Модуль памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb имеет рейтинг 5.0 по 4 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Высокий разгонный потенциал, отсутствие ненужных радиаторов.
Комментарий:
Отличные модули памяти. Сейчас работают на 2133МГц 10-11-11-27 2Т при 1,5В (2500к + Р67). Стабильность железная. Влезут под любой кулер, т. к. нет этих бессмысленных радиаторов.
Отличная оператива. Заработала на 2133 с таймингами 11-11-11-28-1T и вольтаже 1.5.
Недостатки:
Нет
Комментарий:
Материнка на Z68 частоту памяти выше чем 2133 у меня не поддерживает, может быть и выше бы пошла. Тайминги ниже чем CL11 тоже не получилось поставить, иначе не запускается. Но и так более чем отлично за те деньги, которые она стоит по сравнению с другими планками.
ЦЕНА! Способна работать на частотах выше заявленныхСовместима с любой материнской платой
Недостатки:
Отсутствуют
Комментарий:
Купил четыре таких планки по 8Гб, с одного пинка завелась на 2133MHz при 11-11-11-28 при 1,5 V (2133MHz это предел у моей материнской платы). Надо сказать что материнская плата у меня очень геморная (gigabyte ga-z68p-ds3), очень привередлива к памяти, до этого стояла память от Geil Evo Veloce (2133), так вот компьютер часто не стартовал с первого раза, при чём не важно какая частота выставлена у памяти, в БИОСе перепробовал все настройки - бесполезно. Кстати в нете полно людей с такой проблемой у этой мамки. И ещё, я первый раз поставил такой объём памяти (32 Гб) на комп, и загружаться стала операционка и программы ощутимо быстрее и жесткого диска теперь практически не слышно, как будто его нет!Покупкой более чем доволен, да ещё за такой ценник. Рекомендую.
Характеристики Samsung DDR3 1600 DIMM 8Gb:
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- DIMM 240-контактный
- Тактовая частота
- 1600 МГц
- Пропускная способность
- 12800 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 8 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 11
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 11
- Row Precharge Delay (tRP)
- 11
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.5 В
4. Модуль памяти 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5143EB1-CRC
Модуль памяти 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5143EB1-CRC имеет рейтинг 5.0 по 6 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5143EB1-CRC,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Комментарий:
Заказал именно эту т.к. в ноутбуке стояла такаяПлюсы:
Стоимость, брендНедостатки:
ДвухранковаяКомментарий:
В ноутбуке была уже память в 1 из 2х слотов, добавил эту планку во 2ой слот. После загрузки системы, при попытке запуска любого приложения - "синька" (BSOD) Поменял модули местами - всё заработало отлично.Плюсы:
Поставил - работает.Недостатки:
Не зафиксировал.Комментарий:
Брал для апгрейда ноута DELL INSPIRON 3576 (см. отзыв) в пару к аналогичному модулю. Работает без проблем )Характеристики 4 ГБ 1 шт. Samsung M471A5143EB1-CRC:
Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
Тактовая частота | 2400 МГц |
Пропускная способность | 19200 МБ/с |
Объем | 1 модуль 4 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 17 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 17 |
Row Precharge Delay (tRP) | 17 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 32 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Количество ранков | 1 |
3. Модуль памяти 16 ГБ 1 шт. Samsung M378A2K43BB1-CPB
Модуль памяти 16 ГБ 1 шт. Samsung M378A2K43BB1-CPB имеет рейтинг 5.0 по 7 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти 16 ГБ 1 шт. Samsung M378A2K43BB1-CPB,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Плюсы:
Именитый производитель. Начинка- не менее известые чипы Samsung B-die,а как следствие отличный разгонный потанциал. Цена. Дуал Ранг(Dual rank)-он говорят быстрее на 10-15 процентов Sing rank'a. Стабильность при разгоне.Недостатки:
Главный недостаток - отсутсвие упаковки и то незначительный. Отсутсвие XMP профилей(они тут и не нужны) и радиаторов с подсветкой(нужны только для красивых сборок)-недостатком не считаю.Комментарий:
Если кратко- Идеальный вариант для Amd Ryzen. Дуал Ранг и частота 2933 почти из коробки по очень привлекательной цене. Хотел взять под процессор недешевую память с частотой 3000 и радиаторами с подсветкой, но почитав форумы взял эту и не пожалел. 2 планки в связке с ryzen 7 1700 и мат платой Asus X-370 pro работают на частотах 2933 и таймингах 16-15-15-15-32-48 при Vdram=1.35 Vsoc=1.025 (больше менять и выставлять нечего не нужно). Все стабильно как в стрес тестах (LINX, OCCT, TestMem5), так и в рабочих задачах. Прирост в производительности очень сушественен по сравнению с 2133 мгц. Память заработала и на 3200 мгц, но на 1.38 вольта и Soc 1.05в и только после изменения значений в пунктах Dram Timing Сontrol (настройки параметров памяти) и Digi+vrm(настройки параметров питания процессора и памяти) в биосе, а так же после перестановки местами планок в слотах(на форуме российского сайта про разгон есть готовые настройки чтоб запустится на такой частоте)- Windows загрузился, приложения и игры работают, но тест памяти на 30 гигов ломанет систему(синий экран смерти). Эксперименты с некоторыми параметрами позволили все таки пройти тест на памть но с большим количеством ошибок. В общем берите и не пожалете.Плюсы:
Цена/качество. Разгон. Хорошая совместимость.Комментарий:
Отличные OEM плашки памяти непосредственно от одного из лидеров в производстве микросхем. Без не нужных радиаторов, RGB лампочек и прочих свистоперделок. Теперь высокая плотность 16Gb для одной плашки доступна и обычном UDIMM исполнении. Организация модуля двухранговая (х-но для всех 16Gb UDIMM модулей Samsung) Разгон. Без экстрима. Если в среднем по больничке, то можно ожидать: 3000MHz 15-17-17 при ~1.2v 3200MHz 16-17-17 при ~1.3v 3400MHz 17-17-17 при ~1.35v По факту, зависит от множества вещей, от вашей платформы, чипов памяти и кол-ва модулей... Возможные маркировки: M378A2K43BB1-XXX B-die микросхемы. Отлаженный тех. процесс и подтверждённый многими результат Эти чипы, на данный момент ставят в самые "гонческие" наборы памяти за много денег. M378A2K43CB1-XXX С-die микросхемы. Самые "свежие" микросхемы от Samsung на данный момент. Отзывов пока по ним не много, но по тому что есть, можно сделать вывод что по разгонному потенциалу они примерно на уровне B-die микросхем, ну или как минимум не хуже. Последние три буквы в маркировке указывают лишь некую номинальную частоту и базовые тайминги зашитые в модули. Но по сути чипы везде одинаковые. CPB - 2133МГц, тайминги 15-15-15 CRC - 2400МГц, тайминги 17-17-17 CTD - 2666МГц, тайминги 19-19-19 Подробнее смотрите в каталоге Samsung http://www.samsung.com/semiconductor/global/file/resourceMgmt/2016/11/DDR4_Product_guide_Oct.16-0.pdf PS Убедитесь что на вашей материнской плате установлен последний BIOS, т.к. на старых, возможны сложности с распознаванием таких ёмких модулей.Плюсы:
3000@15-15-15-36@1.3v GA-AB350M-Gaming 3 ryzen 1700 Еле теплаяНедостатки:
Двухранговая, можно было бы разогнать сильнее. Хотя говорят, двухранговые дают больший приростХарактеристики 16 ГБ 1 шт. Samsung M378A2K43BB1-CPB:
Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | DIMM 288-контактный |
Тактовая частота | 2133 МГц |
Пропускная способность | 17000 МБ/с |
Объем | 1 модуль 16 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 15 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 15 |
Row Precharge Delay (tRP) | 15 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 33 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Количество ранков | 2 |
2. Модуль памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb
Модуль памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb имеет рейтинг 5.0 по 9 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
считаю что цена адекватная, про надежность - время покажет
Недостатки:
нет
Комментарий:
крайне сложно писать про достоинства и недостатки оперативной памяти, можно лишь сказать что изделие соответствует заявленным характеристикам.
Все хорошо, работает шустро, вставил в ноут и забыл .
Недостатки:
дороговато но это самсунг что говорит нам о лучшем качестве .
Идеальное соотношение цена/качество.
Характеристики Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 8Gb:
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота
- 2400 МГц
- Пропускная способность
- 19200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 8 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 17
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 17
- Row Precharge Delay (tRP)
- 17
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.2 В
- Количество ранков
- 1
1. Модуль памяти 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CRC
Модуль памяти 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CRC имеет рейтинг 5.0 по 12 отзывам пользователей.
Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CRC,
о которых писали пользователи в своих отзывах.
Плюсы:
РаботаетНедостатки:
Их нетКомментарий:
Купил для ноутбука Dell inspirion 7577 дополнительную планку, маркировка, такая же, как у родной.Плюсы:
Скорость, надежность, бренд производителя который доказал свою надежность.Недостатки:
Не нашел, может кого нибудь оттолкнет цена, но оперативная память это не то на чем стоит экономить.Комментарий:
В паре с такой же тормозов вообще не ощущается, все работает как часы.Плюсы:
Дёшево и объёмно.Недостатки:
Их нету.Комментарий:
Берите, всё работает как надо.Характеристики 8 ГБ 1 шт. Samsung M471A1K43CB1-CRC:
Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
Тактовая частота | 2400 МГц |
Пропускная способность | 19200 МБ/с |
Объем | 1 модуль 8 ГБ |
Поддержка ECC | нет |
Поддержка XMP | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 17 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 17 |
Row Precharge Delay (tRP) | 17 |
Дополнительно | |
Количество чипов каждого модуля | 8, двусторонняя упаковка |
Напряжение питания | 1.2 В |
Количество ранков | 1 |