Рейтинг оперативной памяти GoodRAM

Рейтинг оперативной памяти GoodRAM это список ТОП10 лучших моделей 2023 года, основанный на отзывах пользователей и специалистов.
В нашей статье вы сможете ознакомиться с характеристиками и ценами на каждую модель. Сравните цены и качество оперативной памяти GoodRAM и сделайте свой выбор!

10. Модуль памяти GoodRAM GR800S264L5/2G

Модуль памяти GoodRAM GR800S264L5/2G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GR800S264L5/2G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GR800S264L5/2G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

Недорогая, надежная, быстрая... Годится для максимально емкого апгрейда оперативы на ноутбуках с поддержкой DDR2.


Недостатки:

Не замечено


Комментарий:

Оптимальное сочетание цены и качества. Попадалась новая планка которая проработала пару минут.



Характеристики GoodRAM GR800S264L5/2G:

Тип памяти
DDR2 
Форм-фактор
SODIMM 200-контактный 
Тактовая частота
800 МГц 
Объем
1 модуль 2 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)

Дополнительно

Напряжение питания
1.8 В 
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

9. Модуль памяти GoodRAM GR800D264L6/2G

Модуль памяти GoodRAM GR800D264L6/2G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GR800D264L6/2G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GR800D264L6/2G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

Бюджетная память с возможностью разгона


Недостатки:

Не замечено


Комментарий:

Легко перешил на тайминги 5 5 5 18 23, (CL5), работает без проблем, из двух модулей памяти оба без проблем встали на CL5!



Характеристики GoodRAM GR800D264L6/2G:

Тип памяти
DDR2
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
800 МГц
Пропускная способность
6400 Мб/с
Объем
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
6

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.8 В
Количество ранков
2
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

8. Модуль памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G

Модуль памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM IR-2133D464L15S/4G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

Отличный разгонный потенциал.


Недостатки:

Одно ранговая память, чуть менее быстрая чем двух ранговая при одинаковых таймингах и частоте, а так же в разгоне двух ранговая будет более лучше.Не возможно узнать какие чипы тут стоят, без снятия радиаторов (скорее придирка, но все равно не понятно, нахрена было вырезать эту информацию производителем?)


Комментарий:

Купил 2 плашки. В двухканальном режиме легко взяли частоту 3333 на напряжении 1.392В и SoC 1.065В, так же в настройках памяти RTT (RZQ или Омы) - 60 Ом.https://i.imgur.com/tgZObm3.jpgКто планировал брать 4 плашки для работы в 2х двухканальном режиме, не советую, в таком режиме гнать память сложно или почти нереально. Советую брать сразу две плашки на 8 или одну на 8 и докупать потом еще одну, более лучший разгонный потенциал.



Характеристики GoodRAM IR-2133D464L15S/4G:

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15

Дополнительно

Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
есть
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца.

7. Модуль памяти GoodRAM GYB2400D464L15S/16GDC

Модуль памяти GoodRAM GYB2400D464L15S/16GDC имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GYB2400D464L15S/16GDC, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GYB2400D464L15S/16GDC
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

Легко взяла 3200 на asus z270f.


Недостатки:

3333 уже не заводиться, возможно заведется и выше, но нужно ковырять напряжение и тайминги.


Комментарий:

Рекомендую, цена, качество



Характеристики GoodRAM GYB2400D464L15S/16GDC:

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
2400 МГц
Пропускная способность
19200 Мб/с
Объем
2 модуля по 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
есть
Количество ранков
2
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

6. Модуль памяти GoodRAM GR2133S464L15S/8G

Модуль памяти GoodRAM GR2133S464L15S/8G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GR2133S464L15S/8G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GR2133S464L15S/8G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Комментарий:

Годная плашка, работает без перебоев.



Характеристики GoodRAM GR2133S464L15S/8G:

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15

Дополнительно

Напряжение питания
1.2 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца.

5. Модуль памяти GoodRAM IR-X3000D464L16/16G

Модуль памяти GoodRAM IR-X3000D464L16/16G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM IR-X3000D464L16/16G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM IR-X3000D464L16/16G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

При средней цене получаем производительность выше среднего. Возможность разгона. Профиль ХМР. Тонкая настройка таймингов значительно увеличивает скорость.


Недостатки:

Высокая латентность и высокие основные тайминги.


Комментарий:

Чипы Nanya. В моей системе работает 3300(16-16-18-2Т). Заводится на частоте 3466 МГц с таймингами 16-18-18 при напряжении 1.35 В но требует тонкой настройки вторичных таймингов.



Характеристики GoodRAM IR-X3000D464L16/16G:

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
3000 МГц
Пропускная способность
24000 Мб/с
Объем
1 модуль 16 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36

Дополнительно

Радиатор
есть
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца.

4. Модуль памяти GoodRAM GR1600D364L11S/4G

Модуль памяти GoodRAM GR1600D364L11S/4G имеет рейтинг 5.0 по 1 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GR1600D364L11S/4G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GR1600D364L11S/4G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

цена


Недостатки:

нет


Комментарий:

у меня ее нету, хочу купить.Вопрос : какая совнестимость с амд



Характеристики GoodRAM GR1600D364L11S/4G:

Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
11

Дополнительно

Напряжение питания
1.5 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

3. Модуль памяти GoodRAM GY2133D464L15S/8G

Модуль памяти GoodRAM GY2133D464L15S/8G имеет рейтинг 5.0 по 2 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GY2133D464L15S/8G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GY2133D464L15S/8G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

память как память


Недостатки:

пока нету


Комментарий:

завелась сразу на 2400 с 4560 есть радиаторы и даже показывает температуру памяти а так сама дешёвая и обычная память



Автор:

Достоинства:

Хорошая память, сразу завелась на 2933 без поднятия вольтажа на стандартных таймингах


Недостатки:

Нигде не продаётся



Характеристики GoodRAM GY2133D464L15S/8G:

Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Тактовая частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Объем
1 модуль 8 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15

Дополнительно

Напряжение питания
1.2 В
Радиатор
есть
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

2. Модуль памяти GoodRAM GR1600D364L11/8G

Модуль памяти GoodRAM GR1600D364L11/8G имеет рейтинг 5.0 по 2 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти GoodRAM GR1600D364L11/8G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

GoodRAM GR1600D364L11/8G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Достоинства:

Подешевле чем планки других производителей. Вполне функциональна. Всегда есть в наличии.


Недостатки:

Их просто нет.


Комментарий:

Сколько модулей этой фирмы не ставил, все работали отлично. Сейчас на обоих компах стоят по одному модулю на 8гиг. каждый, ну просто нет слов. Да они ни чем не уступают раскрученным, и зачем переплачивать за название.



Автор:

Достоинства:

Разгон. Совместимость с другими планками памяти


Недостатки:

-



Характеристики GoodRAM GR1600D364L11/8G:

Тип памяти
DDR3 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
1600 МГц 
Пропускная способность
12800 Мб/с 
Объем
1 модуль 8 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
11 
RAS to CAS Delay (tRCD)
11 
Row Precharge Delay (tRP)
11 
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28 

Дополнительно

Напряжение питания
1.5 В 
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца

1. Модуль памяти 8 ГБ 1 шт. GoodRAM IRDM PRO IRP-3600D4V64L17S/8G

Модуль памяти 8 ГБ 1 шт. GoodRAM IRDM PRO IRP-3600D4V64L17S/8G имеет рейтинг 5.0 по 6 отзывам пользователей.


Предлагаем Вам ознакомиться с плюсами и минусами модуля памяти 8 ГБ 1 шт. GoodRAM IRDM PRO IRP-3600D4V64L17S/8G, о которых писали пользователи в своих отзывах.

8 ГБ 1 шт. GoodRAM IRDM PRO IRP-3600D4V64L17S/8G
Лучшие отзывы покупателей:
Автор:

Плюсы:

Недорогая (относительно), быстрая память. Без дурацкой подсветки.

Недостатки:

Нет. Тайфуном производитель чипов не определяется, но это нанья.

Комментарий:

Отдельные товарищи которые ставят эту память с райзеном 2600 и потом жалуются что не могут получить скорость больше 3200 конечно очень одаренные. Ничего что проц официально поддерживает только 3000?

Автор:

Плюсы:

Цена 3155 за 8гб 3600МГц, дизайн в мою сборку идеально подошел, мало греется ибо с радиаторами.

Недостатки:

Так и не выяснил какие чипы внутри...ХМР профиль работает не так как заявлено(фото).

Комментарий:

Моя материнка b450ms2h читает профиль ХМР криво Обновление биоса не помогло, все равно читается 18-19-19...а ручками ой как не хочется тратить время на поиск минимальных таймингов.

Автор:

Плюсы:

Дешевая быстрая память.

Недостатки:

Пока не заметил

Характеристики 8 ГБ 1 шт. GoodRAM IRDM PRO IRP-3600D4V64L17S/8G:

Общие характеристики
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 3600 МГц
Пропускная способность 28800 МБ/с
Объем 1 модуль 8 ГБ
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 17
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Дополнительно
Напряжение питания 1.35 В
Радиатор есть
Гарантийный срок 5 лет