GoodRAM IR-2133D464L15S/4G

Name: GoodRAM IR-2133D464L15S/4G отзывы покупателей | 1 честных отзыва покупателей про Модули памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G
Rating: 5 (1 reviews)

5.0

1 модуль памяти DDR4
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 288-контактный
частота 2133 МГц
радиатор
CAS Latency (CL): 15

Кол-во отзывов: 1 Средняя оценка: 5.0

Напишите отзыв

Мы собрали для вас 1 положительный или негативный отзыв покупателей и специалистов о модуле памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G.
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти goodram

Модуль памяти GoodRAM IR-2133D464L15S/4G отзывы

Сортировка:

Автор: 14.09.2018

Достоинства:

Отличный разгонный потенциал.

Недостатки:

Одно ранговая память, чуть менее быстрая чем двух ранговая при одинаковых таймингах и частоте, а так же в разгоне двух ранговая будет более лучше.Не возможно узнать какие чипы тут стоят, без снятия радиаторов (скорее придирка, но все равно не понятно, нахрена было вырезать эту информацию производителем?)

Комментарий:

Купил 2 плашки. В двухканальном режиме легко взяли частоту 3333 на напряжении 1.392В и SoC 1.065В, так же в настройках памяти RTT (RZQ или Омы) - 60 Ом. [ссылка] планировал брать 4 плашки для работы в 2х двухканальном режиме, не советую, в таком режиме гнать память сложно или почти нереально. Советую брать сразу две плашки на 8 или одну на 8 и докупать потом еще одну, более лучший разгонный потенциал.