4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD

4.8


4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD
  • 1 модуль памяти DDR4
  • объем модуля 4 ГБ
  • форм-фактор DIMM, 288-контактный
  • частота 2666 МГц
  • CAS Latency (CL): 19

Мы собрали для вас 10 положительных и негативных отзывов покупателей и специалистов о 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD.
Средняя оценка покупателей составила 4.8 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD.
Если у Вас был опыт использования 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про samsung

4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD отзывы

Сортировка:
Автор: 04.04.2024



Достоинства: - Дешевая
- Хорошо гонится


Недостатки: Нет, это же Samsung


Комментарий: - Разогнал до частоты 3133MHz с таймингами 16-18-18-38, Command Rate 1 и напряжением 1.35V.
Для разгона использовалась материнка MSI b350m PRO-VD Plus и процессор Ryzen 3 1200.
Я уверен, что эта память может разогнаться до бОльших частот и с более ужатыми таймингами, но у меня процессор Ryzen 3 1200, который скорее всего не позволил мне этого сделать.


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Очень гонибельная и недорогая.


Недостатки: Нет радиаторов, при цене выше среднего на начало 19-ого.


Комментарий: Итог - Память хорошая, брать для бюджетного компа

2 планки вышли 4500р на начало 19-ого. Она несколько дороже других и без красивых радиаторов или темного текстолиста, но гонится - дай боже!


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Samsung c-die с райзанами супер, разогнал до 3300 не напрягаясь с 16-18-18-36 при напряжении 1,27, думаю можно и больше, вопрос насколько вы готовы потратить свое время.


Недостатки: Не обнаружил


Комментарий: При цене в 950 р без вопросов и не понятно зачем платить больше. Мать gigabite ab350


Автор: 04.04.2024



Достоинства: 1. Цена.
2. Разгон.
3. Совместимость с более старой паматью, которой уже нет в продаже.


Недостатки: 1. ОЕМ.
2. Дизайн.


Комментарий: AMD Ryzen 5 2400G. MSI b350 pro-vdh. Две плашки DDR4 4Gb Samsung 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) + две плашки DDR4 4Gb Samsung 2666MHz (M378A5244CB0-CTD).
Разгон 3000 Mhz при т. 17,17,17,34, 1.35в. Считаю вполне достойный результат для 4х планок и такого бюджета. В aida 64 и в играх пока все стабильно.
P.s. Устанавливать надо две плашки (M378A5244CB0-CRC) на первый канал и две другие плашки (M378A5244CB0-CTD) на второй канал, иначе выше 2666 Mhz не гонятся.


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Гонится, работает стабильно с r2300g. Запустилась на частоте 2666.


Недостатки: Нет


Комментарий: 3 планки по 4 гб, работают в двуканале. Взяли частоту 2960 на стандартных таймингах и 1.2v. Мать GIGABYTE GA-AB350M-DS3H V


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Поставил сразу 3200 на 16-18-18-36 спокойно работает,холодная . р5 2600+ мси б 450про


Недостатки: Нет


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Простые, должны быть надежными (как и многое от Samsung), разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 В
Купил 2 планки по 4 ГБ


Комментарий: Разогнал 3200 16-18-18-36 1,35 В на MSI B350 PC MATE с AMD 2400G


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Норм


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Дешевизна, возможность разгона.


Недостатки: Тайминги могли бы быть и получше, да и XMP тоже - на любую попытку снизить тайминги предлагается повысить напряжение аж до 1,35 вольт.
Маркировка на плате (M378A5644EB0) не соответствует используемым чипам и наклейке.


Комментарий: Модель M378A5244CB0-CTD 2018 года выпуска. Будьте внимательны: в продаже может встречаться и более старая версия M378A5244CB0-CRC (выпускалась по крайней мере до конца 2017 г.) с рабочей частотой 2400 МГц.

По умолчанию работает на частоте 2666 мегагерц с таймингами 19-19-19-43. Последние могут быть снижены как минимум до 14-16-16-34 под напряжением 1,24 В.


Автор: 04.04.2024



Достоинства: Цена, именитый бренд.


Недостатки: Нет


Комментарий: Отличная оператива за свой ценник


Цены на 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD

Характеристики 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD

Общие характеристики
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тактовая частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 МБ/с
Объем 1 модуль 4 ГБ
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 4, односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.2 В
Количество ранков 1
Производитель: Samsung




Аналоги 4 ГБ 1 шт. Samsung M378A5244CB0-CTD