- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 11
Средняя оценка покупателей составила 3.4 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти samsung
Модуль памяти Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb отзывы
Достоинства:
Так и не обнаружил (
Недостатки:
Не прижилась
Комментарий:
Не прижилась на MSI GT60
Достоинства:
Работает
Недостатки:
Пока не нашел
Комментарий:
В ноуте Asus S46CB стояла память M471B5273CH0-CK000. Докупил вторую такую же. Заработала. Проблем пока нет. Если вопрос, работает ли она в данной модели бука, да работает. Два канала. Рекомендую.
Достоинства:
Оригинальная от производителя
Недостатки:
Нет
Комментарий:
Оригинальная от производителя, один в один с родной 4Gb, только чуть тайминги другие, но разницы нет. Брал для модели Samsung np370r5e, на замену второй планки в 2Gb. Все работает, все отлично.
Достоинства:
Надежность, качество и поверьте память этой фирмы стоит практически на всех уважаемых себя производителей техникиИдеально подходит для Macbook Pro 13
Недостатки:
не замечены на протяжение 7 лет т. к на все компьютеры ставил ОЗУ только этой фирмы
Комментарий:
Искал именно Samsung т. к такая же только меньшего объема стояла в моем маке, если ищите память для Mac - рекомендую!!!
Недостатки:
Просто не заработал
Комментарий:
Хотел увеличить память компа IdeaCentre Q150.Так он с этим модулем памяти даже загружаться не захотел.Теперь валяется на столе. Может нужен кому?)
Цены на Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Характеристики Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
| Тип памяти | DDR3 |
|---|---|
| Форм-фактор | SODIMM 204-контактный |
| Тактовая частота | 1600 МГц |
| Пропускная способность | 12800 Мб/с |
| Объем | 1 модуль 4 Гб |
| Поддержка ECC | нет |
| Буферизованная (Registered) | нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
| Дополнительно | |
| Количество чипов каждого модуля | 16, двусторонняя упаковка |
Модуль памяти SO-DIMM DDR3 8Gb 1600MHz Samsung (M471B1G73EB0-YK0) - 3D-обзор от Elmir.ua
Samsung original 8GB (1 x 8GB) 204-pin SODIMM, DDR3 PC3L-12800, 1600MHz ram memory module for l...
