- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор SODIMM, 260-контактный
- частота 2400 МГц
- CAS Latency (CL): 17
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти samsung
Модуль памяти Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb отзывы
Достоинства:
Стоимость, бренд
Недостатки:
Двухранковая
Комментарий:
В ноутбуке была уже память в 1 из 2х слотов, добавил эту планку во 2ой слот. После загрузки системы, при попытке запуска любого приложения - "синька" (BSOD)Поменял модули местами - всё заработало отлично.
Комментарий:
Заказал именно эту т.к. в ноутбуке стояла такая
Достоинства:
Подошла, запустилась, работает. Ноутбук не для игр, поэтому ощутимого прироста скорости (после апгрейда 4->8 GB) не вижу. Но 20 вкладок в Хроме открыто и не тормозит
Недостатки:
Не нашел, всё соответствует ожиданиям
Комментарий:
Перед покупкой и установкой проверил совместимость. Взял того же производителя, той же частоты и тех же таймингов, что уже стоит в ноутбуке. Всё подошло и работает.Брал в феврале 2019 за 2000 руб. Нормальная планка по нормальной цене.
Достоинства:
Поставил - работает.
Недостатки:
Не зафиксировал.
Комментарий:
Брал для апгрейда ноута DELL INSPIRON 3576 (см. отзыв) в пару к аналогичному модулю. Работает без проблем )
Достоинства:
Обычная качественная планка памяти от Самсунга за обычную цену.
Недостатки:
ничего
Цены на Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
Характеристики Samsung DDR4 2400 SO-DIMM 4Gb
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота
- 2400 МГц
- Пропускная способность
- 19200 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 4 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 17
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 17
- Row Precharge Delay (tRP)
- 17
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.2 В
- Количество ранков
- 1
RAM LAPTOP MURAH 8GB CUMA 300 RIBUAN | RAM SAMSUNG 8GB DDR4 SODIMM 2400MHz | PASANG RAM ASUS A442UR