Crucial CT51264BC1339

4.0


Crucial CT51264BC1339
  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор SODIMM, 204-контактный
  • частота 1333 МГц
  • CAS Latency (CL): 9

Мы собрали для вас 2 положительных и негативных отзыва покупателей и специалистов о модуле памяти Crucial CT51264BC1339.
Средняя оценка покупателей составила 4 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Crucial CT51264BC1339.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Crucial CT51264BC1339 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти crucial

Модуль памяти Crucial CT51264BC1339 отзывы

Сортировка:
Автор: 03.03.2013


Достоинства:

Объем 4ГБт, частота нормальная.


Недостатки:

Пока не обнаружены.


Комментарий:

В Асус К53Е стала без проблем в паре с Самсунгом(2ГБ). До этого было 3ГБ - 5,5 оценка памяти, стала - 7,3(6ГБ).


Автор: 21.12.2011


Достоинства:

Сравнительно не высокая цена. Две планки встали как родные. Работает нормально.


Недостатки:

Индекс производительности Windows - 5.5


Комментарий:

купил 2 планки для увеличения объёма ОЗУ в ноутбуке Acer 4830 TG. Штатные стояли 2 планки Kingston по 2 гб. После замены индекс производительности не изменился вообще - 5.5. Про Samsung в отзывах пишут, что 8 гб дают индекс 7.4. В общем после приобретения и дальнейшей установки немного расстроился именно из-за индекса т. к. именно у ОЗУ он самый низкий. (Но в целом ноутбук стал работать лучше т. к. на 64 битной захламленной эйсеровским софтом винде 4 гб при работе в емких приложениях и играх заметно мало! Сейчас у меня система занимает 4.1 гб оперативной памяти.Тайминги памяти:@ 609 МГц M8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)@457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)@380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)Как то так)


Цены на Crucial CT51264BC1339

Характеристики Crucial CT51264BC1339

Тип памяти DDR3
Форм-фактор SODIMM 204-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем 1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
Дополнительно
Напряжение питания 1.5 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца*
Производитель: Crucial




Аналоги Crucial CT51264BC1339