- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- JRAM JRS4G1333D3
JRAM JRS4G1333D3
- 1 модуль памяти DDR3
- объем модуля 4 ГБ
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Мы собрали для вас 1 положительный или негативный отзыв покупателей и специалистов о модуле памяти JRAM JRS4G1333D3.
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти JRAM JRS4G1333D3.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти JRAM JRS4G1333D3 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти JRAM JRS4G1333D3.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти JRAM JRS4G1333D3 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Модуль памяти JRAM JRS4G1333D3 отзывы
Сортировка:
Автор:
Гость
20.02.2019
Достоинства:
Недостатки:
Комментарий:
Достоинства:
Встала без проблем на ноут lenovo b570e.
Недостатки:
не нашел.
Комментарий:
Купил недавно данную оперативку. Ноут прекрасно определил оперативку. Конфликтов не наблюдаю.
Цены на JRAM JRS4G1333D3
Характеристики JRAM JRS4G1333D3
- Тип памяти
- DDR3
- Форм-фактор
- SODIMM 204-контактный
- Тактовая частота
- 1333 МГц
- Пропускная способность
- 10600 МБ/с
- Объем
- 1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC
- нет
- Поддержка XMP
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 9
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 9
- Row Precharge Delay (tRP)
- 9
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 8, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.5 В
Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.