- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Ballistix BLS16G4D30AESB
Ballistix BLS16G4D30AESB
- 1 модуль памяти DDR4
- объем модуля 16 ГБ
- форм-фактор DIMM, 288-контактный
- частота 3000 МГц
- радиатор
- CAS Latency (CL): 15
Средняя оценка покупателей составила 4.5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Ballistix BLS16G4D30AESB.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Ballistix BLS16G4D30AESB - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти ballistix
Модуль памяти Ballistix BLS16G4D30AESB отзывы
Достоинства:
Купил по 6620 рублей за 1 шт (повезло)Две планки в двухканальном режиме на частоте 3200MHz при 1,28v (установлено 1,27, но мать накидывает 0,01v), SOC 0,992 (установлено 0,9875v, мать накидывает 0,0045v)CR 1CAS 15RCD RD 17RCD WR 16RP 16RAS 35RC 54RFC 480FAW 32RDWR 7остальное по умолчанию
Комментарий:
MSI B450-A PRO, Ryzen 5 2600 (все значения по умолчанию). В PASSMARK при полном тесте набрал 2528 в Memory Mark (второе место среди процов R5 2600), если делаю тест только Memory Mark получаю в среднем 2501
Достоинства:
Большой объем. Когда брал, была одна из самых дешевых на 3000 МГц, правда цена была по акции) Взял сразу 2 штуки.
Недостатки:
Указано, что CL15, по факту включается на CL16. Возможно потому что у меня Ryzen. Не указана дата производства.
Комментарий:
По умолчанию запускается на частоте 2400. В bios есть только 1 профиль на 3000. Попробовал поставить 3200 на авто настройках таймингов, Вроде работает без сбоев на 16-16-16-35. Дальше особо ковырять не охото. Для кого-то может быть интересно, чипы Micron e-die. Подробная информация на фото.
Цены на Ballistix BLS16G4D30AESB
Характеристики Ballistix BLS16G4D30AESB
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- DIMM 288-контактный
- Тактовая частота
- 3000 МГц
- Пропускная способность
- 24000 МБ/с
- Объем
- 1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC
- нет
- Поддержка XMP
- есть
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 15
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 16
- Row Precharge Delay (tRP)
- 16
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.35 В
- Радиатор
- есть