- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Corsair CMV8GX3M2A1333C9
Corsair CMV8GX3M2A1333C9
- 2 модуля памяти DDR3
- объем модуля 4 Гб
- форм-фактор DIMM, 240-контактный
- частота 1333 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Средняя оценка покупателей составила 4.33 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Corsair CMV8GX3M2A1333C9.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Corsair CMV8GX3M2A1333C9 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти corsair
Модуль памяти Corsair CMV8GX3M2A1333C9 отзывы
Достоинства:
Нормальная память. Глюков и битых блоков при тестах не выявленно. Цена тоже адекватная.
Недостатки:
Их нет.
Комментарий:
Мать планки приняла сразу. XMS режим активировался но прирост сотавил всего процентов 15-20% (может я в биосе что не так выставил).
Достоинства:
1.5в - номинальное напряжение. Без разгона практически не грееться. Не большей процент брака.
Недостатки:
Высокие начальные тайминги. Завышенная процентов на 35 цена. Плохие показатели таймингов при разгоне. Приличный разогев при разгоне.
Комментарий:
Взял в магазине погонять. Память в общем-то так себе. Работала, гналась, не сбоила, но показатели зачастую были ниже, чем у планок от конкурентов такой же ценовой категории. Если Вы не фанат бренда, то брать ее не имеет смысла.
Достоинства:
1)Цена покупал за 13002) качество работает сразу и без битых секторов.3) разгон на GA-Z68P-DS3 с i core 5 При 1869Мгц удался с таймингом 12 12 12 26 (пропускная стала 30000Мб)при 1666Мгц тайминг стандартный (пропускная была 24000Мб) БЕЗ ВОЛЬТАЖА
Недостатки:
1) жаль что наклеечка на корпусе
Комментарий:
Купил ее так как думал что нет смысла брать выше из-за процессора. Но оказалось что она работает очень хорошо. Разгон проверенный на программах и временем (1 месяц примерно)
Цены на Corsair CMV8GX3M2A1333C9
Характеристики Corsair CMV8GX3M2A1333C9
Тип памяти | DDR3 |
---|---|
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1333 МГц |
Пропускная способность | 10666 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 4 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.5 В |