- Главная
- Отзывы
- Компьютеры
- Модули памяти
- Kingston HX316LS9IB/8
Kingston HX316LS9IB/8
- 1 модуль памяти DDR3L
- объем модуля 8 Гб
- форм-фактор SODIMM, 204-контактный
- частота 1600 МГц
- CAS Latency (CL): 9
Средняя оценка покупателей составила 5 баллов. В своих отзывах пользователи описали все недостатки и достоинства модуля памяти Kingston HX316LS9IB/8.
Если у Вас был опыт использования модуля памяти Kingston HX316LS9IB/8 - добавьте отзыв и поделитесь им с другими покупателями!
Читайте все отзывы про модули памяти kingston
Модуль памяти Kingston HX316LS9IB/8 отзывы
Достоинства:
все хорошо была бы умней книгу написала бы
Недостатки:
не замечены
Комментарий:
нужна была потому что в компьютере не хватало памяти
Достоинства:
Поставил и забыл. Никаких хлопот, никаких проблем.
Недостатки:
Не выявлено.
Комментарий:
Стояло две плашки(2+4 ГБ) DDR3 фирмы Sumsung 11-11-11 1444. Плата поддерживает только DDR3 1.5V -> Вставил купленную плашку включил комп. Полёт нормальный.Брал с заделом на будущее, чтобы в следующем устройстве можно было использовать 9-9-9 по полной =)
Достоинства:
Отличная память, низкие тайминги, 2 ранка.
Недостатки:
Нет
Комментарий:
Купила за 3600р., в замен Samsung DDR3 4GB 2Rx8 PC3-12800S-11-11-F3 игры стали заметно плавней и слот освободился. К покупке рекомендую, кому нужно улучшить свой старенький ноутбук.
Достоинства:
В imac late 2012 встало норм. Примерно месяц в работе — полет нормальный.
Комментарий:
Эту планку навязал ремонтник аймака. Мне кажется переплатил, почти уверен, что можно было дешевле взять, разницы бы не почувствовал.
Достоинства:
Работает без нареканий
Недостатки:
Не найдено
Комментарий:
Взял 2 такие планки (т.е. парного комплекта в городе не нашел) для ноутбука Acer V5-171. Работают синхронно на частоте 1600. Проверить тайминги не удалось. Пониженное напряжение ноутбук не поддерживает.
Цены на Kingston HX316LS9IB/8
Характеристики Kingston HX316LS9IB/8
- Тип памяти
- DDR3L
- Форм-фактор
- SODIMM 204-контактный
- Тактовая частота
- 1600 МГц
- Пропускная способность
- 12800 Мб/с
- Объем
- 1 модуль 8 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 9
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 9
- Row Precharge Delay (tRP)
- 9
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.35 В
- Количество ранков
- 2